Научный журнал
Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований

ISSN 1996-3955
ИФ РИНЦ = 0,618

Удаление растворенных газов из рабочих растворов, применяемых в производстве полупроводниковых приборов

Кудаков У.Д. Силаев И.В. Наконечников А.В. Кондратенко Т.Т.

Проблема очистки воды и химических ре­активов является актуальной в технологии произ­водства полупроводниковых приборов. Для воды наиболее распространенный способ подготовки состоит из различных этапов, включающих в себя дистилляцию, ультрафиолетовое противомикробное облучение, фильтрацию трупов микроорга­низмов, анионный и катионный обмен с исполь­зованием специальных смол [1]. Соответственно и другие химические реактивы, применяемые в производстве полупроводниковых приборов, под­вергаются многоступенчатой очистке [2].

Качество обработки поверхности напря­мую зависит от того, насколько она доступна для молекул химических реактивов. Степень очистки определяется тем, насколько хорошо на этапе промывки были удалены продукты реакции и остатки непрореагировавших химических реактивов. Этому могут мешать газы, растворённые в жидкости. В подобном случае микроскопические пузырьки растворенных газов перекрывают дос­туп к поверхности, понижая качество её обработ­ки на том или ином этапе технологического про­цесса. Микроскопические пузырьки могут также объединяться между собой, образуя более круп­ные, что приводит к еще большему перекрытию доступа к обрабатываемым поверхностям травителей и промывочных растворов. Таким образом, от степени очистки напрямую зависит качество и процент выхода годных изделий.

Задача, возникающая в процессе произ­водства, заключается в том, чтобы как можно лучше очистить поверхность полупроводникового кристалла или границу выхода pn перехода, ко­торые при последовательных технологических процессах подвергаются травлению кислотами или щелочами и соответствующей промывке из­делий деионизованой водой после каждой хими­ческой реакции. В процессе производства элек­тронных компонентов важную роль играет смачи­ваемость поверхностей, подвергаемых многосту­пенчатым технологическим процессам. Следова­тельно, одна из перспектив улучшения характери­стик выпускаемой продукции электроники  уда­лить из жидкости растворённые в ней газы. Зада­ча не из простых, так как в промежутках между молекулами жидкостей всегда существуют полос­ти, в которых могут оказаться самые разные ве­щества. Хорошим примером являются газогидра­ты. Если рассмотреть химический состав воздуха, то можно привести следующие данные: содержа­ние по объёму азота N2 78,08 %, кислорода 02 20,95 %, остальные газы менее, чем по 1 %. Срав­нение размеров молекул N2, 02 с размерами моле­кул воды, щелочей, кислот и спиртов позволяет говорить о возможности использования явления обратного осмоса для удаления этих газов [3]. Возможно использование метода вакуумной от­качки, при котором также уменьшается количест­во растворенных в жидкости газов.

Таким образом возможно существенно улучшить качество и скорость травления химиче­скими реактивами. Наряду с этим улучшится пол­нота очистки деионизованной водой остатков травителя и продуктов реакции, а также качество последующего обезвоживания изделия спиртом перед его установкой в корпус.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:

1.  Гребенюк В.Д., Мазо А.А. Обессоливание воды ионитами. М.: Химия, 1980.

2.  Заболотский В. И., Никоненко В. В. Пе­ренос ионов в мембранах. М.: Наука, 1996.

3.  Духин С.С., Сидорова М.П., Ярощук А.Э. Электрохимия мембран и обратный осмос. Л.: Химия, 1991.


Библиографическая ссылка

Кудаков У.Д., Силаев И.В., Наконечников А.В., Кондратенко Т.Т. Удаление растворенных газов из рабочих растворов, применяемых в производстве полупроводниковых приборов // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. – 2009. – № 5. – С. 107-0;
URL: http://applied-research.ru/ru/article/view?id=189 (дата обращения: 16.11.2018).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1.252